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半导体行业动态:渠道端已完成大部分库存去化,5G、汽车半导体景气度高涨

申博怎么玩不了 ? 2019-02-20 10:31 ? 次阅读
投资摘要:
半导体产业链库存处于低位,渠道端已完成大部分库存去化。半导体库存修正主要包括芯片设计原厂的库存及分销商的库存两大部分,在分销商环节,库存修正已经开始反应在19Q1的销售额层面。分销商龙头厂商艾睿电子等订单额在二月份已有所回暖,book-to-bill值触底回升。我们认为分销环节的渠道去库存已经告一段落,目前已经出现回暖迹象。
芯片设计原厂的库存水平在18Q4小幅上升,整体在合理范围内。从我们观察到的英特尔、英伟达、德州仪器、高通等海外巨头的库存数据来看,库存周转不同程度有所拉长,意法半导体等汽车半导体厂商库存水平小幅下降。亚洲地区客户下单趋于谨慎,建库存的动力较弱。目前芯片原厂的库存整体在合理范围内,库存周转天数增加值一般在20天内。
国内半导体行业库存处于低位,部分产品周期见底,预计19Q2 开始进入补库存阶段。国内半导体从 18Q4 开始的库存修正持续到现在,渠道库存已经处于低位,近期二极管、MOSFET 等功率器件产品在分销渠道端出现交期延长、价格上涨的趋势,侧面验证部分产品渠道库存见底。
海外半导体指数率先触底反弹,映射到 A 股市场半导体板块有望 持续反弹。从海外半导体市场表现来看,费城半导体指数1月中旬开始触底反弹,市场开始修正对半导体的悲观预期。 5G 半导体及汽车半导体等高景气方向引领费城半导体指数反弹。在 5G方向,基站 FPGA龙头企业赛灵思通信业务四季度增长 41%,5G 逻辑在基站端开始兑现,下一阶段将从基站端传导至终端,预计今年下半年 5G 终端开始上量。 在汽车半导体方向,电动汽车在 2018 年销量突破 200万辆,相比2017 年强劲增长72%。电动汽车销量高成长叠加电动车半导体用 量激增因素,汽车半导体在2019年将延续高景气度。
主流存储器产品延续跌价趋势,部分特殊型存储器价格趋于企稳。 主流存储器品种在 2018Q1开始出现价格下跌趋势,Nand Flash 目前均价已经达到2017年初价格上涨前的水平,DRAM 价格跌幅小于Nand Flash,目前 DRAM 均价已经达到 2017年年中的价格水平。我们认为主流存储器价格在 2019年继续承压,处在下跌通道中。根据美光最新季报指引,在2019 年一季度,DRAM 均价预计环比下降高个位数比例,NAND 均价预计环比下降 10-15%。
晶圆厂建设节奏在2019年将有所放缓。应用材料预计 2019 年中 国外资晶圆厂及内资晶圆厂的设备采购规模均有所下降。设备市场需求的重心将转向晶圆代工,存储器设备采购规模弱于晶圆代工。特别 在传统制程领域,传感器、IoT 等应用的晶圆代工需求旺盛,市场主流厂商在 2019 年将加大相关制程设备的采购力度。
相对2018年高点时期,半导体行业整体估值已调整近 50%,看好估值修复反弹行情。目前半导体行业整体估值水平回落到 42倍,相比2018 年高点下降近 50%。拉长时间来看,半导体板块当前估值 与 2008 年经济危机时相当,回到过去十年低点区域。《科创板上市公司监管办法》于今年一月底正式出台,在上市条件方面引入了市值、现金流、研发投入等新的衡量标准,多样化的审核体系有利于推动更多高科技企业进入资本市场。市场对于科技企业的估值重新衡量,高科技行业板块的风险偏好持续上升。
投资建议:
综合来看半导体库存修正在19Q1趋于完成,基本面逐季回升,5G、汽车半导体方向景气度高涨;半导体板块估值已经处于过去十年历史底部区域,相对2018年高点估值已调整近50%;科创板推出在即,数家半导体公司将登陆科创板,短期来看半导体板块迎来估值修复行情。我们梳理国内半导体产业链优质企业如下,建议投资者重点关注。
IDM:闻泰科技、扬杰科技、捷捷微电、士兰微
芯片设计:韦尔股份、兆易创新、汇顶科技、中颖电子、圣邦股份、全志科技、富满电子
设备:北方华创、长川科技
材料:晶瑞股份、江丰电子、上海新阳
制造:华虹半导体、中芯国际
封测:通富微电、晶方科技、长电科技
厂务:太极实业
风险提示:
(1)经济环境下行,半导体行业需求疲软的风险;
(2)智能手机景气度下降,半导体企业需求疲软的风险
(3)中美贸易战加剧,电子产业需求疲软的风险;
1 19Q1是全年景气度低点,产业景气度逐季回升
半导体产业链较长,芯片产成品的库存包括三个部分,芯片设计公司的库存、分销商的库存、及终端应用厂商的库存。终端应用厂商的芯片采购一般以满足生产的正常备货为主,在行业需求疲软时会率先将库存压力传导至分销商及供货原厂。
1.1 分销商环节,订单出现回暖迹象
终端客户的谨慎传导至分销商环节,直接表现为book-to-bill比率的直线下降。直接的变化在于book-to-bill(订单/出货额比率)的下降。基于对未来中美贸易战的不确定性担忧,一些芯片终端客户在18Q4取消了之前的订单。在分销商环节,半导体产业库存修正在18Q4已经反映在订单增速上,在19Q1将落实到销售额层面。19Q1是半导体全年景气度最低的一个季度,产业景气度将逐个季度回升。
分区域看,欧洲、北美地区分销商渠道book-to-bill比率保持平稳,亚洲地区book-to-bill大幅下滑。在18Q4,安富利在亚洲地区的订单额下降20-25%,book-to-biil值已跌至0.8。艾睿电子在亚洲地区的订单小幅下滑,book-to-bill值下滑至0.95。
展望2019Q2,我们认为渠道端已经完成大部分库存去化,半导体整体销售额增速趋于回暖。从全球最大电子分销商艾睿电子数据来看,19年2月份订单已经出现回暖迹象,book-to-bill值开始回升。
安富利出货周转天数
1.2 芯片设计原厂环节,库存小幅上升
 高性能计算芯片:
在高性能计算市场,芯片设计公司端的库存状况整体比较健康。英特尔的CPU芯片产能在2018年整体较为紧张,在库存上整体一直处于低位水平。在18Q4,英特尔的服务器CPU芯片库存略有小幅上升。考虑到全球宏观经济及中美贸易争端给市场带来的不确定性,主流厂商在2019年会采取更加保守的库存管理策略。在19Q1,CPU市场渠道端库存相比2018年年初上升约1.5-2周的水平。
GPU领域,英伟达预计在2019Q1基本面见底。英伟达在渠道端的库存较多,在2019Q1公司将基本完成渠道端的去库存工作。由于前期比特币需求断崖式下跌,英伟达部分比特币GPU芯片库存在通过游戏机市场进行消化。反映在2018Q4业绩层面,英伟达的游戏GPU收入同比下降45%,导致股价在四季度调整较多。

模拟芯片:
18Q4,德州仪器的库存周转天数达到152天,相比去年同期上升18天。公司库存水平相比以往同期平均水平略有上升。模拟芯片行业具有品种多、产品生命周期长的特征,库存上升带来的跌价风险较小。德州仪器经营上不会刻意降低库存,公司计划调高库存周转天数指标,未来数个季度保持高于历史平均水平的库存水平。
模拟芯片订单小幅回暖,18Q4德州仪器book-to-bill比率环比略有回升。18Q4德州仪器的book-to-bill值达到0.98,相比前一个季度0.96略有回升,与去年同期0.98持平。
功率/汽车半导体芯片:
意法半导体:在18Q4,意法半导体主动去库存,公司库存周转天数从上个季度的95天下降至88天。预计到19Q1,公司产品将基本完成渠道库存修正。渠道去库存导致18Q4-19Q1销售额增速较预期有所回落。预计去库存周期将在19Q2结束,渠道库存修正对公司19Q2的销售不会再产生影响。公司的晶圆制造工厂产能目前已经满载,需求出现边际回暖迹象。汽车应用创新不断,意法半导体推出了碳化硅芯片、ADAS芯片、40纳米MCU芯片等新产品,以汽车半导体新兴需求弥补库存修正带来的订单下滑影响。
NXP:在18Q4,公司库存周转天数达到102天,相比前一季度上升2天。公司在欧洲、北美的市场需求基本平稳,在中国的销售遇到挑战。中国地区的渠道商下单趋于谨慎,建库存的动力较弱。影响渠道库存的核心驱动在于中美贸易战的不确定性。NXP本身的库存偏高,在公司各项去库存措施下,19Q1库存预计会有所下降,公司的库存目标是达到95天的理想水平。
通信芯片:
手机换机周期拉长,出货量呈现出下滑趋势。通信芯片龙头厂商高通视角来看,国内手机市场在19Q1处于渠道去库存阶段。苹果在今年年初首次非官方降价,降低一级渠道拿货价,以促进渠道快速去库存。
在19Q1保持正增长的半导体公司有分销企业艾睿电子、晶圆代工企业世界先进及华虹半导体、FPGA芯片厂商赛灵思、功率半导体厂商英飞凌。在19Q1业绩下滑较大的有GPU芯片厂商英伟达、晶圆代工企业台积电及中芯国际、存储芯片厂商美光。
1.3 去库存趋于完成,部分半导体产品出现涨价预期
半导体行业库存处于低位,部分产品库存周期见底,预计19Q2开始进入补库存阶段。全球半导体从18Q4开始的库存修正持续到现在,渠道库存已经处于低位,近期二极管、MOSFET等功率器件产品在分销渠道端出现交期延长、价格上涨的趋势,侧面验证部分产品渠道库存见底。我们认为半导体库存修正接近尾声,19Q2开始渠道库存逐季回升,叠加行业需求在今年下半年的回暖因素,半导体景气度逐季向好改善。
1.4 5G、汽车半导体景气度保持高涨
海外半导体指数率先触底反弹,映射到A股市场半导体板块有望持续反弹。从海外半导体市场表现来看,费城半导体指数1月中旬开始触底反弹,市场开始修正对半导体的悲观预期。5G半导体及汽车半导体等高景气方向引领费城半导体指数反弹。
在5G方向,基站FPGA龙头企业赛灵思通信业务四季度增长41%,5G逻辑在基站端开始兑现,下一阶段将从基站端传导至终端,预计今年下半年5G终端会有小规模出货,到2020年实现大规模上量。
在汽车半导体方向,电动汽车在2018年销量突破200万辆,相比2017年强劲增长72%。电动汽车销量高成长叠加电动车半导体用量激增因素,汽车半导体在2019年将延续高景气度。在2018年Q4意法半导体的汽车业务业绩增长39%,微观上验证了汽车半导体的高景气逻辑。
映射到A股市场,我们认为5G半导体+汽车半导体引领行业估值修复,重点推荐功率半导体、CIS图像传感器等汽车半导体方向。
2 存储器处在价格下跌通道,部分特殊型存储器价格企稳
主流存储器产品延续跌价趋势,部分特殊型存储器价格趋于企稳。主流存储器品种在2018Q1开始出现价格下跌趋势,Nand Flash目前均价已经达到2017年初价格上涨前的水平,DRAM价格跌幅小于Nand Flash,目前DRAM均价已经达到2017年年中的价格水平。我们认为主流存储器价格在2019年继续承压,处在下跌通道中。根据美光最新季报指引,在2019年一季度,DRAM均价预计环比下降高个位数比例,NAND均价预计环比下降10-15%。
特殊型存储器市场,中小容量Nor Flash竞争激烈,价格压力较大,中高容量Nor Flash价格企稳,特别是汽车及工业应用领域供需格局良好价格压力较小。
Nor Flash市场竞争激烈,上半年价格压力较大。行业龙头旺宏18Q4毛利率下降28%,环比上个季度下降7个百分点,同比去年同期下降15个百分点。旺宏业绩下滑主因在于flash价格下跌,其中大容量nor flash跌价有限,中小容量价格压力较大。面对中小容量nor flash市场的激烈竞争,旺宏将战略重心转移至汽车、工业应用的nor flash市场,渐渐退出消费、计算等应用市场。在18Q4,旺宏在消费类应用的销售额同比下降48%,在计算类的应用同比下降21%,在汽车应用市场的销售额小幅下降,同比下降3%
展望2019年,Nor Flash市场下半年景气度将有所回升。旺宏计划在2019年资本开支149亿新台币,更新扩充12寸线。在技术上,旺宏会加大19nm NAND及55 nm Nor Flash的产品优化力度,提升高端产品竞争力。
3 大项目陆续进入设备采购阶段,国产半导体设备放量可期
全球来看,存储+晶圆代工贡献了90%以上的半导体设备采购额。IC设备国产化的核心驱动在长江存储、合肥长鑫、中芯国际、华虹四家。包括长江存储的扩产、华虹无锡项目、中芯B3项目等国产IC设备采购体量较高。

晶圆厂建设节奏在2019年将有所放缓。应用材料预计2019年中国外资晶圆厂及内资晶圆厂的设备采购规模均有所下降。设备市场需求的重心将转向晶圆代工,存储器设备采购规模弱于晶圆代工。特别在传统制程领域,传感器、IoT等应用的晶圆代工需求旺盛,市场主流厂商在2019年将加大相关制程设备的采购力度。
4 行业估值回调近50%,短期看估值修复机会
相对 2018 年高点时期,半导体行业整体估值已调整近 50%,看 好估值修复反弹行情。目前半导体行业整体估值水平回落到 42 倍, 相比 2018 年高点下降近 50%。拉长时间来看,半导体板块当前估值 与 2008 年经济危机时相当,回到过去十年低点区域。《科创板上市公 司监管办法》于今年一月底正式出台,在上市条件方面引入了市值、 现金流、研发投入等新的衡量标准,多样化的审核体系有利于推动更 多高科技企业进入资本市场。市场对于科技企业的估值重新衡量,高 科技行业板块的风险偏好持续上升。中兴通讯芯片禁运事件折射出本 土终端品牌缺“芯”之痛,实现芯片国产化迫在眉睫,半导体板块的 估值水平迎来触底反弹。
5 投资建议
综合来看半导体库存修正在19Q1趋于完成,基本面逐季回升,5G、汽车半导体方向景气度高涨;半导体板块估值已经处于过去十年历史底部区域,相对2018年高点估值已调整近50%;科创板推出在即,数家半导体公司将登陆科创板,短期来看半导体板块迎来估值修复行情。我们梳理国内半导体产业链优质企业如下,建议投资者重点关注。
IDM:闻泰科技、扬杰科技、捷捷微电、士兰微
芯片设计:韦尔股份、兆易创新、汇顶科技、中颖电子、圣邦股份、全志科技、富满电子
设备:北方华创、长川科技
材料:晶瑞股份、江丰电子、上海新阳
制造:华虹半导体、中芯国际
封测:通富微电、晶方科技、长电科技
厂务:太极实业

6 风险提示
(1)经济环境下行,半导体行业需求疲软的风险;
(2)智能手机景气度下降,半导体企业需求疲软的风险
(3)中美贸易战加剧,电子产业需求疲软的风险;
 
本文转自:方正电子;作者:首席分析师  兰飞;分析师  贺茂飞
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不需要耗费巨大的算力,高通与vivo、腾讯王者荣耀、腾讯AI Lab合作,他们正共同打造一支AI电竞....
的头像 人工智能 发表于 04-30 10:33 ? 170次 阅读
高通让AI触手可及在5G时代

太赫兹波将成为下一代无线技术的关键组成部分

这里对太赫兹波作个入门级的简介。太赫兹波在电磁波谱中占据了300千兆赫到3太赫兹的波段。这意味着其频....
的头像 IEEE电气电子工程师学会 发表于 04-30 09:59 ? 136次 阅读
太赫兹波将成为下一代无线技术的关键组成部分

美国运营商AT&T在5G网络上实现了高达2Gbps的速度

这次5G速度测试是在其亚特兰大地区的公用网络上,使用Netgear移动路由器实现的,但需要注意的是,....
发表于 04-30 09:58 ? 30次 阅读
美国运营商AT&T在5G网络上实现了高达2Gbps的速度

软银将携手谷歌的母公司建设支持新一代5G通信标准的飞行基站

两家公司开展合作的领域为在平流层设置的通信基站,被称为“高空伪卫星”(HAPS)。软银开展该业务的子....
发表于 04-30 09:53 ? 53次 阅读
软银将携手谷歌的母公司建设支持新一代5G通信标准的飞行基站

浙江移动5G网络已经具备了规模部署能力

在浙江省5G+行动发布会上,浙江移动在人民大会堂展区内展示了多种应用,包括5G+4K实时直播、5G+....
发表于 04-30 09:46 ? 45次 阅读
浙江移动5G网络已经具备了规模部署能力

韩国5G新业务已正式商用5G手机同时上网其网速远超Gbps水平

LG U+此次测试在棒球场人员密集条件下进行,使用多部三星电子盖乐世S10 5G手机同时接入5G网络....
发表于 04-30 09:45 ? 59次 阅读
韩国5G新业务已正式商用5G手机同时上网其网速远超Gbps水平

浙江省到2025年将实现所有5G应用区域全覆盖

自浙江移动联手华为打造杭州“5G第一城”以来,浙江5G又一次在战略目标和实施方案上走在了全国前列。仅....
发表于 04-30 09:39 ? 43次 阅读
浙江省到2025年将实现所有5G应用区域全覆盖

华为以四个主动和三个协同助力行业全面构建智能生态

截至2018年底,《财富》世界500强中已有211家、前100强中有48家企业选择华为作为其数字化转....
发表于 04-30 09:34 ? 48次 阅读
华为以四个主动和三个协同助力行业全面构建智能生态

5G虽然箭在弦上但是离成熟还有一段距离

据IHS Markit预测,到2035年5G将在全球创造12.3万亿美元经济产出。而根据高盛的调研,....
发表于 04-30 09:34 ? 48次 阅读
5G虽然箭在弦上但是离成熟还有一段距离

英国同意华为进入5G非核心网络供应商名单 美国干涉遭遇抵制

据《参考消息》网站最新报道,以首相特雷莎·梅为主席的英国国家安全委员会近来决定采纳英国国家网络安全中....
发表于 04-30 09:27 ? 308次 阅读
英国同意华为进入5G非核心网络供应商名单 美国干涉遭遇抵制

VR/MR医疗服务商HoloEyes获得2.5亿日元投资,已落地39个医疗设施

通过使用该服务,可以支持医疗和教育站点作为医疗领域中的通信工具,例如在手术前确认受影响的区域。该服务....
的头像 VR陀螺 发表于 04-30 09:25 ? 226次 阅读
VR/MR医疗服务商HoloEyes获得2.5亿日元投资,已落地39个医疗设施

中国全面使用 5G还要多久?全面商用 5G的四大难点

随着第一个5G春晚、第一台5G远程手术、第一通5G电话的实现,5G网络似乎离我们越来越近了。
的头像 通信通 发表于 04-30 09:25 ? 187次 阅读
中国全面使用 5G还要多久?全面商用 5G的四大难点

三大运营商2019年第一季度财报总结

2019年被业内称为5G元年,我国三大运营商承担着建设5G的大任。总体来看,三大运营商在5G部署上都....
发表于 04-30 09:22 ? 65次 阅读
三大运营商2019年第一季度财报总结

中国铁塔有信心支撑全国快速建成全球规模最大和质量最优的5G网络

佟吉禄强调,5G时代更要深挖共享潜力,发挥好中国铁塔的统筹共享作用,快速经济高效地建设5G基础设施。....
发表于 04-30 09:22 ? 38次 阅读
中国铁塔有信心支撑全国快速建成全球规模最大和质量最优的5G网络

5G赋能智能制造,火花迸发的智慧工厂

在浙江兆丰机电的生产车间里,传统的有线和工业WIFI不见踪影,取而代之的是无线5G网络。
的头像 通信通 发表于 04-30 09:20 ? 147次 阅读
  5G赋能智能制造,火花迸发的智慧工厂

5G+智慧物流:快递再多也不怕

每年“双11”,几家欢喜几家愁!剁手族喜了,物流仓储企业却愁了——货品压仓,人员不足。
的头像 CTI论坛 发表于 04-30 09:19 ? 180次 阅读
5G+智慧物流:快递再多也不怕

解读可分解的有机半导体芯片

    来自于美国史丹佛大学的研究团队,制造出了一种像皮肤般柔软且有机的半导体元件,只需对其添加弱酸,比如醋酸,该...
发表于 04-25 14:00 ? 423次 阅读
解读可分解的有机半导体芯片

半导体三极管是如何工作的

PNP型半导体三极管和NPN型半导体三极管的基本工作原理完全一样,下面以NPN型半导体三极管为例来说明其内部的电流传输过...
发表于 04-18 09:05 ? 453次 阅读
半导体三极管是如何工作的

第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及技术应用

GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市...
发表于 04-13 22:28 ? 321次 阅读
第三代半导体材料氮化镓/GaN 未来发展及技术应用

关于半导体切换开关的流程剖析

半导体切换开关-Semiconductor Toggle S
发表于 04-04 06:04 ? 63次 阅读
关于半导体切换开关的流程剖析

4155B/4156B半导体参数分析仪程序员指南

Provides information about controlling the 4155B/4156B by remote control command via GPIB interface and Instrume...
发表于 03-22 06:17 ? 136次 阅读
4155B/4156B半导体参数分析仪程序员指南

集成电路发明者Jack Kilby的世界

59年前,Jack Kilby向少数几名聚集在德州仪器半导体实验室的同事展示的其实是一个并不复杂的装置——它仅仅是在一块锗片上嵌置...
发表于 03-13 06:45 ? 237次 阅读
集成电路发明者Jack Kilby的世界

三种工作状态的三极管分别有什么区别?

有放大、饱和、截止三种工作状态,放大中的三极管是否处于放大状态或处于何种工作状态,对于学生是一个难点。笔者在长期的教学实...
发表于 03-05 07:00 ? 447次 阅读
三种工作状态的三极管分别有什么区别?

国外经典教材:电路分析与设计半导体器件及其基本应用

推荐课程:张飞硬件电路P1训练营(1-5部)张飞硬件电路全集训练营(1-10部) 《电子电路分析与设计:半导体器件及其基本应用》...
发表于 03-04 17:58 ? 715次 阅读
国外经典教材:电路分析与设计半导体器件及其基本应用

使用4291B进行片上半导体器件阻抗测量(AN 1300-7)

This application note demonstrates how the 4291B can be used for direct on-chip impedance measurements. In particular...
发表于 02-27 11:55 ? 164次 阅读
使用4291B进行片上半导体器件阻抗测量(AN 1300-7)

LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

LM3xxLV系列包括单个LM321LV,双LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作。 这些运算放大器是LM321,LM358和LM324的替代产品,适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能,并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定,在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格。 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23,SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 用于成本敏感系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1 mV 共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1 MHz 低宽带噪声:40 nV /√ Hz < li>低静态电流:90μA/Ch 单位增益稳定 工作电压为2.7 V至5.5 V 提供单,双和四通道变体 稳健的ESD规范:2 kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=1...
发表于 01-08 17:51 ? 595次 阅读
LM324LV 4 通道行业标准低电压运算放大器

TLV9052 5MHz、15-V/μs 高转换率 RRIO 运算放大器

TLV9051,TLV9052和TLV9054器件分别是单,双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化。输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作,高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制。 TLV905x系列的容性负载驱动为200 pF,电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高,容性更高。 TLV905x系列易于使用,因为器件是统一的 - 增益稳定,包括一个RFI和EMI滤波器,在过载条件下不会发生反相。 特性 高转换率:15 V /μs 低静态电流:330μA 轨道-to-Rail输入和输出 低输入失调电压:±0.33 mV 单位增益带宽:5 MHz 低宽带噪声:15 nV /√ Hz 低输入偏置电流:2 pA Unity-Gain稳定 内部RFI和EMI滤波器 适用于低成本应用的可扩展CMOS运算放大器系列 工作电压低至1.8 V 由于电阻开环,电容负载更容易稳定输出阻抗 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Vo...
发表于 01-08 17:51 ? 54次 阅读
TLV9052 5MHz、15-V/μs 高转换率 RRIO 运算放大器

TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器。远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本,NPN-或者PNP - 类晶体管或者作为微控制器,微处理器,或者FPGA组成部分的二极管。 无需校准,对多生产商的远程精度是±1°C。这个2线串行接口接受SMBus写字节,读字节,发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消,可编程非理想性因子,大范围远程温度测量(高达150℃),和二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装。 特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器(最大值) ±2.5°C本地温度传感器(最大值) 串联电阻抵消 n-因子校正 两线/SMBus串口 多重接口地址 二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数 与其它产品相比?数字温度传感器 ? Interface Local sensor accuracy (Max) (+/- C) Temp Resolution (Max) (bits) Operating temperature range (C) Supply Voltage (Min) (V) Supply Voltage (Max) (V) Supply Current (Max) (uA) Features Remote channels (#) Rating Package Group Package size: mm2:W x L (PKG) ? TMP422-...
发表于 01-08 17:51 ? 67次 阅读
TMP422-EP 增强型产品,具有 N 因数和串联电阻校正的 ±1°C 双路远程和本地温度传感器

LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计,这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能。该器件具有两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动PWM /PFM(AUTO模式)操作与自动相位增加/减少相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测(采用两相配置的差分),可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序(包括与使能信号同步的GPO信号)。在启动和电压变化期间,器件会对出转换率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:器件温度 1 级:-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压:2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器:输出电压:0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少和强制多相操作采用两相配置的远...
发表于 01-08 17:51 ? 68次 阅读
LP8733-Q1 LP8733-Q1 双路高电流降压转换器和双路线性稳压器

TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

TPS3840系列电压监控器或复位IC可在高电压下工作,同时在整个V DD 上保持非常低的静态电流和温度范围。 TPS3840提供低功耗,高精度和低传播延迟的最佳组合(t p_HL =30μs典型值)。 当VDD上的电压低于负电压阈值(V IT - )或手动复位拉低逻辑(V MR _L )。当V DD 上升到V IT - 加滞后(V IT + )和手动复位( MR )时,复位信号被清除)浮动或高于V MR _H ,复位时间延迟(t D )到期。可以通过在CT引脚和地之间连接一个电容来编程复位延时。对于快速复位,CT引脚可以悬空。 附加功能:低上电复位电压(V POR ), MR 和VDD的内置线路抗扰度保护,内置迟滞,低开漏输出漏电流(I LKG(OD))。 TPS3840是一款完美的电压监测解决方案,适用于工业应用和电池供电/低功耗应用。 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 结果 特性 宽工作电压:1.5 V至10 V 纳米电源电流:350 nA(典型值) 固定阈值电压(V IT - ) 阈值从1.6 V到4.9 V,步长为0.1 V 高精度:1%(典型值) 内置滞后(V IT + ) 1.6 V&lt; V IT - ≤3.1V= 100mV(典...
发表于 01-08 17:51 ? 89次 阅读
TPS3840 具有手动复位和可编程复位时间延迟功能的毫微功耗高输入电压监控器

INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

INA240-SEP器件是一款电压输出,电流检测放大器,具有增强的PWM反射功能,能够在宽共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V,与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作,适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑制为使用脉冲宽度调制(PWM)信号的大型共模瞬变(ΔV/Δt)系统(如电机驱动和电磁阀控制系统)提供高水平的抑制。此功能可实现精确的电流测量,无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波。 该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电,最大电源电流为2.4 mA 。固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失调允许电流检测,分流器上的最大压降低至10 mV满量程。 特性 VID V62 /18615 抗辐射 单事件闩锁(SEL)免疫43 MeV-cm 2 /mgat 125° ELDRS每次使用晶圆批次可达30 krad(Si) TotalIonizing Dose(TID)RLAT至20krad(Si) 空间增强塑料 受控基线 金线 NiPdAu LeadFinish < /li> 一个装配和测试现场 一个制造现场 可用于军用(-55°C至125°C)温度范围 ExtendedProduct生命周期 扩展产品更改通知 产品可追溯性 用于低释气的增强型模具化合物 增强型PWM抑制 出色...
发表于 01-08 17:51 ? 60次 阅读
INA240-SEP 采用增强型航天塑料且具有增强型 PWM 抑制功能的 80V、高/低侧、零漂移电流检测放大器

LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADC,LM96000测量: 两个远程二极管连接晶体管及其自身裸片的温度 VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V电源(内部定标电阻)。 为了设置风扇速度,LM96000有三个PWM输出,每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围。 LM96000包括一个数字滤波器,可调用该滤波器以平滑温度读数,从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入,用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器。 特性 符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP,2.5V,3.3 VSBY,5.0V和12V主板/处理器电源 监控2个远程热二极管 基于温度读数的可编程自主风扇控制 风扇控制温度读数的噪声过滤 1.0°C数字温度传感器分辨率 3 PWM风扇速度控制输出 提供高低PWM频率范围 4风扇转速计输入 监控5条VID控制线 24针TSSOP封装 XOR-tree测试模式< /li> Key Specifications Voltage Measurement Accuracy ±2% FS (max) Resolution 8-bits, 1°C Temperature Sensor Accuracy ±3°C (max) Temperature ...
发表于 01-08 17:51 ? 67次 阅读
LM96000 具有集成风扇控制的硬件监控器

LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器。 LM63精确测量:(1)自身温度和(2)二极管连接的晶体管(如2N3904)或计算机处理器,图形处理器单元(GPU)和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度。 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M热敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器,用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲宽度调制(PWM)开漏风扇控制输出。风扇速度是远程温度读数,查找表和寄存器设置的组合。 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温度传递函数,通常用于静音声学风扇噪声。 特性 准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管 准确感知其自身温度< /li> 针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整 集成PWM风扇速度控制输出 使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表 用于 ALERT 输出或转速计输入,功能的多功能,用户可选引脚 用于测量风扇RPM的转速计输入< /li> 用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式 偏移寄存器可针对...
发表于 01-08 17:51 ? 127次 阅读
LM63 具有集成风扇控制的准确远程二极管数字温度传感器

AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频段内工作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功耗,自监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽车接口。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参考硬件设计,软件驱动程序,示例配置,API指南和用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
发表于 01-08 17:51 ? 430次 阅读
AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高分辨率数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超低偏移电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR实际RRIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干扰( EMI)/射频干扰(RFI)的输入 行业标...
发表于 01-08 17:51 ? 68次 阅读
OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗,通用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装和超薄外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
发表于 01-08 17:51 ? 80次 阅读
TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数字输出。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值时,器件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值时,输出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?霍尔效应锁存器和开关 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
发表于 01-08 17:51 ? 96次 阅读
DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有允许输出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流:每个比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相位反转保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
发表于 01-08 17:51 ? 79次 阅读
TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
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TMP461-SP 耐辐射 (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号,以控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
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LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器,经过优化,能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,防止系统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空闲信道噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有欠压预防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
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TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数字输入单声道 D 类音频放大器

LM358B 双路运算放大器

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏感型应用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的低偏移电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型号,最大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
发表于 01-08 17:51 ? 99次 阅读
LM358B 双路运算放大器

LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏感型系统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> 严格的ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
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LM2902LV 行业标准、低电压放大器

LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆率进行控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
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LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器
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